HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 61 A, 500 V, 4-Pin SOT-227 IXFN64N50P
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010465951
- Артикул
- IXFN64N50P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Width
- 25.42mm
- Series
- HiperFET, Polar
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 194.6
Цена по запросу
(от 9 820 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстродействующим встроенным диодом (HiPerFET™) от IXYS - широкий ассортимент современныx дискретныx силовыx МОП-транзисторов от IXYSundefined
Технические параметры
| Width | 25.42mm |
| Series | HiperFET, Polar |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 194.6 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-227 |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 700 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 85 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 61 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 61 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |