Моя заявка (0)
IXFN52N100X, MOSFET Modules 1000V 44A SOT-227 Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005506804
Артикул
IXFN52N100X
Бренд
Ixys Corporation
Вес, г
30
Серия
X-Class
Упаковка
Tube
Структура
Power MOSFET
Цена по запросу
(от 10 140 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Модуль, одиночный транзистор, 1кВ, 44А, SOT227B, Ugs: ±40В, винтами Характеристики Категория Транзистор Тип модуль Вид MOSFET

Технические параметры

Вес, г30
СерияX-Class
УпаковкаTube
СтруктураPower MOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаChassis Mount
Время спада9 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаDiscrete Semiconductor Modules
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияDiscrete Semiconductor Modules
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокSOT-227-4
Время нарастания13 ns
Категория продуктаДискретные полупроводниковые модули
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности830 W
Id - непрерывный ток утечки44 A
Коммерческое обозначениеHiPerFET
Размер фабричной упаковки10
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток125 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток1 kV
Пороговое напряжение на затворе-30 V, +30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения107 ns
Типичное время задержки при включении34 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А44
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В