HiperFET N-Channel MOSFET, 36 A, 1000 V, 4-Pin SOT-227 IXFN36N100
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8306148756
- Артикул
- IXFN36N100
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- SOT227B
- Width
- 25.42mm
- Series
- HiperFET
- Pin Count
- 4
Цена по запросу
(от 21 920 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Модуль, одиночный транзистор, 1кВ, 36А, SOT227B, Ugs: ±30В, винтами Характеристики Категория Транзистор Тип модуль Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | SOT227B |
| Width | 25.42mm |
| Series | HiperFET |
| Pin Count | 4 |
| Technology | HiPerFET™ |
| Gate charge | 380nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | IXYS |
| Package Type | SOT-227 |
| Polarisation | unipolar |
| Вес, кг | 194 |
| Drain current | 36A |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Type of module | MOSFET transistor |
| Kind of channel | enhanced |
| Power dissipation | 694W |
| Структура | N-Channel |
| Electrical mounting | screw |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Mechanical mounting | screw |
| On-state resistance | 0.24Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 1kV |
| Pulsed drain current | 144A |
| Reverse recovery time | 180ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 700 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 380 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 240 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 36 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1000 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |