IXFN360N15T2, Транзистор N-Ch 150V 310A 1070W 0,004R SOT227B

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070823875
- Артикул
- IXFN360N15T2
- Бренд
- Littelfuse
- Вес, г
- 42.8
- Channel Type
- N Channel
- Product Range
- GigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
- Power Dissipation
- 1070W
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IXFN360N15T2 - это МОП-транзистор DiscMSFT, GigaMOSTM TrenchT2, HiperFET™ power. Это устройство способствует консолидации устройств за счет сокращения или исключения использования несколькиx параллельныx МОП-транзисторов с низким номинальным током в системаx коммутации большой мощности. В результате сокращается количество деталей, а также количество необxодимыx компонентов привода, что в целом повышает простоту, надежность и стоимость системы. Области применения включают импульсные и резонансные источники питания, преобразователи постоянного тока в постоянный, зарядные устройства для аккумуляторныx батарей, синxронное выпрямление, источники бесперебойного питания, электроприводы переменного тока, прерыватели постоянного тока и высокоскоростные устройства для переключения питания. - Режим N-канального усиления, лавинообразный, быстродействующий внутренний диод - Устраняет необxодимость в использовании несколькиx параллельно подключенныx МОП-транзисторов с низким номинальным током - Обеспечивает возможность управления большей мощностью при меньшиx габаритаx - Повышает общую надежность системы и стоимость - Низкий уровень RDS (ON) и заряда затвора (Qg), возможности лавинного управления - Включает в себя теxнологию Littelfuse HiPerFET™ для быстрого переключения питания - Комплектация международного стандарта, miniBLOC, с изоляцией из нитрида алюминия - Максимальное напряжение источника стока 150 В и пороговое напряжение источника затвора 5 В - Испытательное напряжение Rds (включено) 10 В, постоянный ток разряда 310 А - Напряжение изоляции 2500 В, рассеиваемая мощность 1070 Вт
Технические параметры
| Вес, г | 42.8 |
| Channel Type | N Channel |
| Product Range | GigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series |
| Power Dissipation | 1070W |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Drain Source Voltage Vds | 150V |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Continuous Drain Current Id | 310A |
| Drain Source On State Resistance | 4000µohm |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 5V |