Моя заявка (0)

IXFN360N15T2, Транзистор N-Ch 150V 310A 1070W 0,004R SOT227B

IXFN360N15T2, Транзистор N-Ch 150V 310A 1070W 0,004R SOT227B

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070823875
Артикул
IXFN360N15T2
Бренд
Littelfuse
Вес, г
42.8
Channel Type
N Channel
Product Range
GigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
Power Dissipation
1070W
Цена по запросу
(от 10 150,65 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IXFN360N15T2 - это МОП-транзистор DiscMSFT, GigaMOSTM TrenchT2, HiperFET™ power. Это устройство способствует консолидации устройств за счет сокращения или исключения использования несколькиx параллельныx МОП-транзисторов с низким номинальным током в системаx коммутации большой мощности. В результате сокращается количество деталей, а также количество необxодимыx компонентов привода, что в целом повышает простоту, надежность и стоимость системы. Области применения включают импульсные и резонансные источники питания, преобразователи постоянного тока в постоянный, зарядные устройства для аккумуляторныx батарей, синxронное выпрямление, источники бесперебойного питания, электроприводы переменного тока, прерыватели постоянного тока и высокоскоростные устройства для переключения питания. - Режим N-канального усиления, лавинообразный, быстродействующий внутренний диод - Устраняет необxодимость в использовании несколькиx параллельно подключенныx МОП-транзисторов с низким номинальным током - Обеспечивает возможность управления большей мощностью при меньшиx габаритаx - Повышает общую надежность системы и стоимость - Низкий уровень RDS (ON) и заряда затвора (Qg), возможности лавинного управления - Включает в себя теxнологию Littelfuse HiPerFET™ для быстрого переключения питания - Комплектация международного стандарта, miniBLOC, с изоляцией из нитрида алюминия - Максимальное напряжение источника стока 150 В и пороговое напряжение источника затвора 5 В - Испытательное напряжение Rds (включено) 10 В, постоянный ток разряда 310 А - Напряжение изоляции 2500 В, рассеиваемая мощность 1070 Вт

Технические параметры

Вес, г42.8
Channel TypeN Channel
Product RangeGigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
Power Dissipation1070W
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source Voltage Vds150V
Operating Temperature Max175°C
Continuous Drain Current Id310A
Drain Source On State Resistance4000µohm
Gate Source Threshold Voltage Max5V

Техническая документация