GigaMOS Trench HiperFET N-Channel MOSFET, 360 A, 100 V, 4-Pin SOT-227 IXFN360N10T
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8221110827
- Артикул
- IXFN360N10T
- Бренд
- Ixys Corporation
- Width
- 25.07mm
- Series
- GigaMOS Trench HiperFET
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 32
Цена по запросу
(от 8 148,35 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Широкий ассортимент современныx дискретныx силовыx МОП-транзисторов от IXYS
Технические параметры
| Width | 25.07mm |
| Series | GigaMOS Trench HiperFET |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 32 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-227 |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Maximum Power Dissipation | 830 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 525 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.6 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 360 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 360 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 830 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |