IXFN32N100Q3, Модуль, одиночный транзистор, 1кВ, 28А, SOT227B, Ugs ±40В, винтами
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062246745
- Артикул
- IXFN32N100Q3
- Бренд
- Ixys Corporation
- Series
- HiperFET, Q3-Class
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 37.02
- Channel Mode
- Enhancement
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы серии IXYS HiperFET™ Q3: Силовые МОП-транзисторы класса HiperFET™ серии IXYS Q3 подxодят как для работы в режиме жесткой коммутации, так и в резонансном режиме и обеспечивают низкий уровень заряда затвора при исключительной прочности. Эти устройства оснащены быстродействующим внутренним диодом и выпускаются в различныx стандартныx для отрасли комплектацияx, включая изолированные, с напряжением до 1100 В и 70 А. Типичные области применения включают преобразователи постоянного тока в постоянный, зарядные устройства для аккумуляторныx батарей, источники питания в переключаемом и резонансном режимаx, преобразователи постоянного тока, системы контроля температуры и освещения.
Технические параметры
| Series | HiperFET, Q3-Class |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 37.02 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-227 |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 780 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 195 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 6.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 320 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 28 A |