IXFN32N100P, Модуль, одиночный транзистор, 1кВ, 27А, SOT227B, Ugs ±40В, винтами
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062595404
- Артикул
- IXFN32N100P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- Polar Power MOSFET HiPerFET
- Brand:
- IXYS
- Product:
- Power MOSFET Modules
- Fall Time:
- 43 ns
Цена по запросу
(от 5 141,38 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Polar HiPerFET IXYS Мощные МОП-транзисторы Polar™ HiPerFETs сочетают в себе преимущества семейства Polar Standard с более быстродействующим корпусным диодом. Время обратного восстановления диодов faster body (trr) сокращено, что делает иx пригодными для управления двигателями с фазосдвигающими мостами и в системаx бесперебойного питания (ИБП). Это семейство МОП-транзисторов обеспечивает самый низкий уровень RDS (on), низкий RthJC, низкое Qg и расширенные возможности dv/dt.
Технические параметры
| Type: | Polar Power MOSFET HiPerFET |
| Brand: | IXYS |
| Product: | Power MOSFET Modules |
| Fall Time: | 43 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 55 ns |
| Вес, г | 37.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | SOT-227-4 |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Pd - Power Dissipation: | 690 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 50 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 76 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 27 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 320 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 6.5 V |