IXFN200N10P,MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 200 A, 100 V, 7500 µohm, 15 V, 5 V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8976169207
- Артикул
- IXFN200N10P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- HiperFET
- Width
- 25.07mm
- Brand:
- IXYS
- Series
- Polar HiPerFET
Цена по запросу
(от 7 550 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Polar HiPerFET Мощные МОП-транзисторы IXYS Polar™ HiPerFETs сочетают в себе преимущества семейства Polar Standard с более быстродействующим корпусным диодом. Время обратного восстановления диодов faster body (t rr) сокращено, что делает иx пригодными для управления двигателями с фазосдвигающими мостами и в системаx бесперебойного питания (ИБП). Это семейство МОП-транзисторов обеспечивает самый низкий уровень RDS1 (при включении), низкий уровень RTHJC, низкую добротность и расширенные возможности dv/dt.
Технические параметры
| Type: | HiperFET |
| Width | 25.07mm |
| Brand: | IXYS |
| Series | Polar HiPerFET |
| Series: | IXFN200N10 |
| Product: | Power MOSFET Modules |
| Pin Count | 4 |
| Fall Time: | 90 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 35 ns |
| Tradename: | HiPerFET |
| Вес, г | 30 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-227 |
| Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
| Manufacturer: | IXYS |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Screw Mounts |
| Package / Case: | SOT-227-4 |
| Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.5V |
| Pd - Power Dissipation: | 680 W |
| Maximum Power Dissipation | 680 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 235 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 150 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.5 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 200 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |