Моя заявка (0)
IXFN180N25T, Trans MOSFET N-CH 250V 168A 4-Pin SOT-227B

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001019498
Артикул
IXFN180N25T
Бренд
Ixys Corporation
Case
SOT227B
Technology
GigaMOS™
Вес, г
1
Gate charge
364nC
Цена по запросу
(от 7 410 ₽)
Минимальный заказ: 4 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseSOT227B
TechnologyGigaMOS™
Вес, г1
Gate charge364nC
ManufacturerIXYS
Polarisationunipolar
Drain current168A
Type of moduleMOSFET transistor
Kind of channelenhanced
Power dissipation900W
Electrical mountingscrew
Gate-source voltage±30V
Mechanical mountingscrew
On-state resistance12.9mΩ
Drain-source voltage250V
Pulsed drain current500A
Reverse recovery time200ns
Semiconductor structuresingle transistor

Техническая документация