IXFN170N30P, Модуль, одиночный транзистор, 300В, 138А, SOT227B, Ugs ±30В, 890Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062587355
- Артикул
- IXFN170N30P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Тип
- Polar Power MOSFET HiPerFET
- Вес, г
- 30
- Длина
- 38.23 mm
- Серия
- IXFN170N30
Цена по запросу
(от 8 010 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 138 Ампер 300 В 0,018 Об/мин
Технические параметры
| Тип | Polar Power MOSFET HiPerFET |
| Вес, г | 30 |
| Длина | 38.23 mm |
| Серия | IXFN170N30 |
| Высота | 12.22 mm |
| Ширина | 25.42 mm |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Время спада | 16 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 258 nC |
| Время нарастания | 29 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 890 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 138 A |
| Коммерческое обозначение | Polar, HiPerFET |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 18 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 79 ns |
| Типичное время задержки при включении | 41 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 57 S |