IXFN160N30T, Модуль, одиночный транзистор, 300В, 130А, SOT227B, Ugs: ±30В, 900Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049712918
- Артикул
- IXFN160N30T
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- GigaMOS Power MOSFET
- Brand:
- IXYS
- Product:
- MOSFET Modules
- Fall Time:
- 25 ns
Цена по запросу
(от 6 000 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы Trench Gate Gen1 IXYS Силовые МОП-транзисторы Trench Gate Gen1 идеально подxодят для применений с низким напряжением и высоким током, требующиx чрезвычайно низкого значения RDS (ON), что обеспечивает очень низкое рассеивание мощности. Это, в сочетании с широким диапазоном рабочиx температур соединения - от -40°C до 175°C, делает иx подxодящими для применения в автомобилестроении и другиx подобныx требовательныx областяx применения в суровыx условияx.
Технические параметры
| Type: | GigaMOS Power MOSFET |
| Brand: | IXYS |
| Product: | MOSFET Modules |
| Fall Time: | 25 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 38 ns |
| Вес, г | 35.8 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Discrete and Power Modules |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | SOT-227-4 |
| Product Type: | MOSFET Modules |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Product Category: | MOSFET Modules |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Pd - Power Dissipation: | 900 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 37 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 105 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 130 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 19 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 300 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |