IXFN140N20P, Модуль, одиночный транзистор, Uds 200В, Id 115А, SOT227B, винтами
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061880539
- Артикул
- IXFN140N20P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Width
- 25.42mm
- Series
- HiperFET, Polar
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 37.08
Цена по запросу
(от 3 936,29 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстродействующим встроенным диодом (HiPerFET™) от IXYS - широкий ассортимент современныx дискретныx силовыx МОП-транзисторов от IXYSundefined
Технические параметры
| Width | 25.42mm |
| Series | HiperFET, Polar |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 37.08 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-227 |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 680 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 240 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 18 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 115 A |