IXFN132N50P3, MOSFET Modules 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007301022
- Артикул
- IXFN132N50P3
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- HiperFET
- Width
- 25.07mm
- Brand:
- IXYS
- Series
- HiperFET, Polar3
Цена по запросу
(от 8 510 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 500В 112A 1500Вт 0,039Ом SOT227B Характеристики Категория Транзистор Тип модуль Вид MOSFET
Технические параметры
| Type: | HiperFET |
| Width | 25.07mm |
| Brand: | IXYS |
| Series | HiperFET, Polar3 |
| Series: | IXFN132N50 |
| Product: | Power MOSFET Modules |
| Pin Count | 4 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 9 ns |
| Tradename: | HiPerFET |
| Вес, г | 30 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-227 |
| Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
| Manufacturer: | IXYS |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Screw Mounts |
| Package / Case: | SOT-227-4 |
| Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| Структура | Power MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 kW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.5 kW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 250 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 112 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 39 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 112 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 39 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 112 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1500 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 39 mOhms |