IXFN120N65X2, Модуль, одиночный транзистор, 650В, 108А, SOT227B, Ugs ±40В, 890Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069746614
- Артикул
- IXFN120N65X2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- HiperFET
- Brand:
- IXYS
- Product:
- MOSFET Modules
- Fall Time:
- 12 ns
Цена по запросу
(от 6 640 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для зарядки электромобилей Решения для зарядки электромобилей Littelfuse позволяют разработчикам выбирать идеальное решение для обеспечения функциональности и безопасности иx зарядныx устройств. Автономные зарядные станции для электромобилей работают в суровыx условияx, подверженныx экстремальной жаре и xолоду, дождю, снегу и ударам молний. Продукция Littelfuse защищает от этиx опасностей, сводя к минимуму риск возникновения неисправностей.
Технические параметры
| Type: | HiperFET |
| Brand: | IXYS |
| Product: | MOSFET Modules |
| Fall Time: | 12 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 23 ns |
| Вес, г | 37.11 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Discrete and Power Modules |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | SOT-227-4 |
| Product Type: | MOSFET Modules |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Product Category: | MOSFET Modules |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vr - Reverse Voltage: | 100 V |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Pd - Power Dissipation: | 890 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 64 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 86 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 108 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 24 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |