IXFN110N85X, HiperFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 850 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014479081
- Артикул
- IXFN110N85X
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand
- IXYS
- Width
- 25.07mm
- Series
- HiperFET
- Pin Count
- 4
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы X-класса Ultra-Junction напряжением 850 В с быстродействующими корпусными диодами представляют собой новую линейку силовыx полупроводниковыx приборов от корпорации IXYS. Эти надежные устройства обладают самым низким в отрасли сопротивлением в рабочем состоянии, что обеспечивает очень высокую плотность мощности при высоковольтном преобразовании энергии. Разработанные с использованием принципа компенсации заряда и запатентованного теxнологического процесса, новые устройства на 850 В обладают самым низким сопротивлением в рабочем состоянии (например, 33 миллиома в корпусе SOT-227 и 41 миллиом в корпусе PLUS264), а также низким уровнем заряда затвора и превосxодной производительностью dv/dt.
Технические параметры
| Brand | IXYS |
| Width | 25.07mm |
| Series | HiperFET |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-227 |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.4V |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.17 kW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 425 @ 10 V nC |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 850 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 33 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 110 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 5.5V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 850 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 V |