IXFN110N85X, MOSFET Modules 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005629246
- Артикул
- IXFN110N85X
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand
- IXYS
- Width
- 25.07mm
- Series
- HiperFET
- Pin Count
- 4
Цена по запросу
(от 15 700 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Модуль, одиночный транзистор, 850В, 110А, SOT227B, Ugs: ±40В, 425нC Характеристики Категория Транзистор Тип модуль Вид MOSFET
Технические параметры
| Brand | IXYS |
| Width | 25.07mm |
| Series | HiperFET |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 8 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-227 |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Структура | Power MOSFET |
| Forward Diode Voltage | 1.4V |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.17 kW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 425 @ 10 V nC |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 850 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 33 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 110 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 850 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |