IXFN110N60P3, MOSFET транзистор IXYS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015647101
- Артикул
- IXFN110N60P3
- Бренд
- Ixys Corporation
- PPAP
- No
- Width
- 25.07mm
- Series
- HiperFET, Polar3
- Mounting
- Screw
Цена по запросу
(от 4 100 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В 90A 1500Вт 0,056Ом SOT227B Характеристики Категория Транзистор Тип модуль Вид MOSFET
Технические параметры
| PPAP | No |
| Width | 25.07mm |
| Series | HiperFET, Polar3 |
| Mounting | Screw |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Screw |
| Вес, г | 50 |
| PCB changed | 4 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-227 |
| Корпус | SOT-227 |
| Configuration | Single Dual Source |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Package Width | 25.42(Max) |
| Package Length | 38.23(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-227B |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Standard Package Name | SOT |
| Power Dissipation (Pd) | 1.5kW |
| Typical Fall Time (ns) | 11 |
| Typical Rise Time (ns) | 19 |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.5 kW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 245 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 245nC@10V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 18nF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 90A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1500000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 245 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 245@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 56 mΩ |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 63 |
| Maximum Continuous Drain Current | 90 A |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 600 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 77 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 90 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 18000@25V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 56@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@8mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1500 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 56mΩ@55A, 10V |