IXFK80N50P, MOSFETs 500V 80A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006235273
- Артикул
- IXFK80N50P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO264
- Brand:
- IXYS
- Series:
- IXFK80N50
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 3 820 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Polar HiPerFET Мощные МОП-транзисторы IXYS Polar™ HiPerFETs сочетают в себе преимущества семейства Polar Standard с более быстродействующим корпусным диодом. Время обратного восстановления диодов faster body (t rr) сокращено, что делает иx пригодными для управления двигателями с фазосдвигающими мостами и в системаx бесперебойного питания (ИБП). Это семейство МОП-транзисторов обеспечивает самый низкий уровень RDS1 (при включении), низкий уровень RTHJC, низкую добротность и расширенные возможности dv/dt.
Технические параметры
| Case | TO264 |
| Brand: | IXYS |
| Series: | IXFK80N50 |
| Mounting | THT |
| Fall Time: | 16 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 27 ns |
| Tradename: | HiPerFET |
| Вес, г | 906 |
| Gate charge | 197nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 80A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-264-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 1.04kW |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 197 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 65mΩ |
| Drain-source voltage | 500V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 1.04 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 70 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 70 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 65 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 25 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1040 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |