Моя заявка (0)
IXFK64N60P3, MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006228756
Артикул
IXFK64N60P3
Бренд
Ixys Corporation
Width
5.13mm
Series
HiperFET, Polar3
Pin Count
3
Серия
IXFK64N60
Цена по запросу
(от 2 857,15 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET, Polar3™, полевой, 600В, 64А, 1130Вт, TO264 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Width5.13mm
SeriesHiperFET, Polar3
Pin Count3
СерияIXFK64N60
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-264
Вес, кг7.14
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
СтруктураPower MOSFET
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада11 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation1.13 kW
Typical Gate Charge @ Vgs145 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-264-3
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage5V
Qg - заряд затвора145 nC
Maximum Drain Source Resistance95 mΩ
Время нарастания17 ns
Maximum Continuous Drain Current64 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности1.13 kW
Id - непрерывный ток утечки64 A
Коммерческое обозначениеHyperFET
Размер фабричной упаковки25
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток95 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Пороговое напряжение на затворе-30 V, +30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А64
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.60 S, 36 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1130
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.095Ом

Техническая документация