Моя заявка (0)
IXFK64N50Q3, MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004636809
Артикул
IXFK64N50Q3
Бренд
Ixys Corporation
Width
5.13mm
Series
HiperFET, Q3-Class
Pin Count
3
Вес, г
7.5
Цена по запросу
(от 4 990 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Q3Class HiPerFET Pwr МОП-транзистор 500V/64A

Технические параметры

Width5.13mm
SeriesHiperFET, Q3-Class
Pin Count3
Вес, г7.5
СерияIXFK64N50
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-264
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation1 kW
Typical Gate Charge @ Vgs145 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-264-3
Maximum Drain Source Voltage500 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage6.5V
Qg - заряд затвора145 nC
Maximum Drain Source Resistance85 mΩ
Время нарастания250 ns
Maximum Continuous Drain Current64 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности1 kW
Id - непрерывный ток утечки64 A
Коммерческое обозначениеHyperFET
Размер фабричной упаковки25
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток85 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А64
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация