IXFK64N50P, Транзистор N-МОП, полевой, 500В 64A 830Вт 0,085Ом TO264AA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017531880
- Артикул
- IXFK64N50P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type
- N Channel
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 22 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 2 160 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
500 В, 64 А, 830 Вт, 85 Мом при 10 В, 32 А 5.5V@8mA N-канальные МОП-транзисторы TO-264-3 соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 22 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 25 ns |
| Вес, г | 10 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | TO-264-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 150 nC |
| Структура | N-МОП |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 25 |
| Power Dissipation (Pd) | 830W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 830 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 150nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 8.7nF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 85 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 64A |
| Id - Continuous Drain Current: | 64 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 50 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 85 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 5.5V@8mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 64 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 830 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 85mΩ@10V, 32A |