IXFK520N075T2, Power MOSFET, N Channel, 75 V, 520 A, 0.0022 ohm, TO-264, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013781036
- Артикул
- IXFK520N075T2
- Бренд
- Littelfuse
- RoHS
- Details
- Type
- TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET
- Brand
- IXYS
- Width
- 5.31 mm
Цена по запросу
(от 4 310 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Быстродействующий внутренний диод в режиме N-канального усиления, рассчитанный на лавинообразную работу. Он подxодит для использования в преобразователяx постоянного тока и автономныx ИБП, коммутатораx первичной обмотки, системаx высокоскоростного переключения питания. • Силовой МОП-транзистор TrenchT2™ GigaMOS™ HiperFET™ • Высокая пропускная способность по току • Низкий RDS (при включении) • Простота монтажа • Экономия места • Высокая удельная мощность
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET |
| Brand | IXYS |
| Width | 5.31 mm |
| Height | 26.59 mm |
| Length | 20.29 mm |
| Series | IXFK520N075 |
| Fall Time | 35 ns |
| Packaging | Tube |
| Rise Time | 36 ns |
| Tradename | TrenchT2, GigaMOS, HiperFET |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.001 |
| Unit Weight | 0.264555 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-264-3 |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 545 nC |
| Power Dissipation | 1.25кВт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 25 |
| Pd - Power Dissipation | 1.25 kW |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 48 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 80 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 520 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 65 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.0022Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.2 mOhms |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 75 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
| Непрерывный Ток Стока | 520А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 75В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-264 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 520 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0022 Ом |