IXFK44N80P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 44А, 1040Вт, TO264
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048099437
- Артикул
- IXFK44N80P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO264
- Brand:
- IXYS
- Mounting
- THT
- Fall Time:
- 27 ns
Цена по запросу
(от 2 990 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Polar HiPerFET IXYS Мощные МОП-транзисторы Polar™ HiPerFETs сочетают в себе преимущества семейства Polar Standard с более быстродействующим корпусным диодом. Время обратного восстановления диодов faster body (trr) сокращено, что делает иx пригодными для управления двигателями с фазосдвигающими мостами и в системаx бесперебойного питания (ИБП). Это семейство МОП-транзисторов обеспечивает самый низкий уровень RDS (on), низкий RthJC, низкое Qg и расширенные возможности dv/dt.
Технические параметры
| Case | TO264 |
| Brand: | IXYS |
| Mounting | THT |
| Fall Time: | 27 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 22 ns |
| Вес, г | 10 |
| Gate charge | 198nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 44A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | TO-264-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 1.04kW |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 198 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 0.19Ω |
| Drain-source voltage | 800V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 25 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.2 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 75 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 44 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 190 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |