Моя заявка (0)

IXFK44N50P, Power MOSFET, N Channel, 500 V, 44 A, 0.14 ohm, TO-264, Through Hole

IXFK44N50P, Power MOSFET, N Channel, 500 V, 44 A, 0.14 ohm, TO-264, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003754061
Артикул
IXFK44N50P
Бренд
Ixys Corporation
Вес, г
4
Длина
19.96 mm
Серия
IXFK44N50
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 3 560 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 500V 44A

Технические параметры

Вес, г4
Длина19.96 mm
СерияIXFK44N50
Channel TypeN Channel
Высота26.16 mm
Ширина5.13 mm
УпаковкаTube
Power Dissipation658Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада27 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-264-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Время нарастания29 ns
Drain Source On State Resistance0.14Ом
Линейка ПродукцииPolar HiperFET
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока44А
Рассеиваемая Мощность658Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs5В
Pd - рассеивание мощности650 W
Id - непрерывный ток утечки44 A
Коммерческое обозначениеHyperFET
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds500В
Размер фабричной упаковки25
Стиль Корпуса ТранзистораTO-264
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток140 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
Пороговое напряжение на затворе4
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150°C
Типичное время задержки выключения85 ns
Типичное время задержки при включении28 ns
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.14Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А44
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.32 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.14 Ом