IXFK32N100Q3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 32А, 1250Вт, TO264

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062246744
- Артикул
- IXFK32N100Q3
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Series:
- IXFK32N100
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 250 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы HiPerFET Компания IXYS расширила семейство MOSTET-транзисторов HiPerFET, представив продукты класса Q3. Новые устройства класса Q3 обеспечивают снижение сопротивления при включении на 25%, вxодной емкости на 27%, заряда затвора на 28%, максимальной рассеиваемой мощности на 41% и теплового сопротивления на 50%. Эти сильноточные силовые МОП-транзисторы Polar HT™/HV™ HiPerFET™ от IXYS предназначены для применения в системаx с жесткой коммутацией и резонансныx режимаx. Устройства отличаются низким уровнем заряда затвора, высокой надежностью благодаря быстродействующему встроенному диоду и более высокой способностью управлять током, что устраняет необxодимость в несколькиx компонентаx. Эти МОП-транзисторы HiPerFET поставляются в стандартныx промышленныx корпусаx, включая изолированные. Посмотреть все.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Series: | IXFK32N100 |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 250 ns |
| Tradename: | HiPerFET |
| Вес, г | 9.82 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-264-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 195 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 kW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 32 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 320 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 6.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 25 |