IXFK27N80Q, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 27А, 481Вт, TO264
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017544709
- Артикул
- IXFK27N80Q
- Бренд
- Ixys Corporation
- Width
- 5.13mm
- Series
- HiperFET, Q-Class
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 4.54
Цена по запросу
(от 2 180 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 27А, 481Вт, TO264 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 5.13mm |
| Series | HiperFET, Q-Class |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 4.54 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-264AA |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 500 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 320 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 27 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 27 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 481 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 24 mOhms |