IXFK24N100Q3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 24А, 1000Вт, TO264
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062246693
- Артикул
- IXFK24N100Q3
- Бренд
- Ixys Corporation
- Width
- 5.13mm
- Series
- HiperFET, Q3-Class
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 10
Цена по запросу
(от 3 800,07 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы HiperFET™ класса IXYS Q3 подxодят как для работы в режиме жесткой коммутации, так и в резонансном режиме и обеспечивают низкий уровень заряда затвора при исключительной прочности.
Технические параметры
| Width | 5.13mm |
| Series | HiperFET, Q3-Class |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 10 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-264 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1 kW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 6.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 440 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 24 A |