IXFK200N10P, MOSFETs 200 Amps 100V 0.0075 Rds
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004724440
- Артикул
- IXFK200N10P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- Polar HiPerFET Power MOSFET
- Brand:
- IXYS
- Series:
- IXFK200N10
- Fall Time:
- 90 ns
Цена по запросу
(от 3 180 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 200А, 830Вт, TO264 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type: | Polar HiPerFET Power MOSFET |
| Brand: | IXYS |
| Series: | IXFK200N10 |
| Fall Time: | 90 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 35 ns |
| Tradename: | HiPerFET |
| Вес, г | 10 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-264AA(IXFK) |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-264-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 235 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 830 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 150 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 60 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 25 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 830 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |