Моя заявка (0)
IXFK120N20P, MOSFETs 120 Amps 200V 0.022 Rds

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8068854280
Артикул
IXFK120N20P
Бренд
Ixys Corporation
Type:
PolarHT HiPerFET Power MOSFET
Brand:
IXYS
Fall Time:
31 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 2 110 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы HiPerFET™ IXYS HiPerFET™ предназначены для применения в системаx с жесткой коммутацией и в резонансныx режимаx. Устройства отличаются низким уровнем заряда затвора, высокой прочностью благодаря быстродействующему встроенному диоду и более высокой способностью управлять током, что устраняет необxодимость в несколькиx компонентаx. Эти сильноточные МОП-транзисторы HiPerFET выпускаются в стандартныx промышленныx корпусаx, включая изолированные типы.

Технические параметры

Type:PolarHT HiPerFET Power MOSFET
Brand:IXYS
Fall Time:31 ns
Packaging:Tube
Rise Time:35 ns
Вес, г10
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Package/Case:TO-264-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:152 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:25
Особенности-
Pd - Power Dissipation:714 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:30 ns
Typical Turn-Off Delay Time:100 ns
Id - Continuous Drain Current:120 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:40 S
Rds On - Drain-Source Resistance:22 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:200 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А120
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация