IXFH96N20P, MOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004724438
- Артикул
- IXFH96N20P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO247-3
- Width
- 5.3mm
- Series
- HiperFET, Polar
- Тип
- PolarHT HiPerFET Power MOSFET
Цена по запросу
(от 1 442,16 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 96А, 600Вт, TO247-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Width | 5.3mm |
| Series | HiperFET, Polar |
| Тип | PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 250 |
| Длина | 16.26 mm |
| Серия | IXFH96N20 |
| Gate charge | 145nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | IXYS |
| Package Type | TO-247 |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 21.46 mm |
| Ширина | 5.3 mm |
| Drain current | 96A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Упаковка | Tube |
| Power dissipation | 600W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| On-state resistance | 24mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 200V |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 30 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 600 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 145 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Qg - заряд затвора | 145 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 24 mΩ |
| Время нарастания | 30 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 96 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 600 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 96 A |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 24 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 75 ns |
| Типичное время задержки при включении | 28 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 96 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 40 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 600 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |