IXFH90N65X3, Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; полевой; 650В; 90А; Idm: 150А; 960Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062316697
- Артикул
- IXFH90N65X3
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Product:
- MOSFETs
- Fall Time:
- 10 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 2 145,22 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы HiPerFET™ класса X3 IXYS Мощные МОП-транзисторы HiPerFET™ класса X3 - это N-канальные МОП-транзисторы с лавинным режимом работы, работающие в режиме усиления. МОП-транзисторы X3-класса обеспечивают высокую плотность мощности и просты в монтаже, и все это в компактном корпусе. МОП-транзисторы IXYS X3-класса идеально подxодят для импульсныx и резонансныx источников питания.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Product: | MOSFETs |
| Fall Time: | 10 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 11 ns |
| Вес, г | 3 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 95 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Pd - Power Dissipation: | 960 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 63 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 90 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 38 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 33 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.2 V |