Моя заявка (0)

IXFH6N120P, Транзистор N-MOSFET, 1,2кВ, 6А, 250Вт, TO247-3

IXFH6N120P, Транзистор N-MOSFET, 1,2кВ, 6А, 250Вт, TO247-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8038437496
Артикул
IXFH6N120P
Бренд
Ixys Corporation
Type:
Polar HiPerFET Power MOSFET
Brand:
IXYS
Fall Time:
14 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 780 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы HiPerFET™ IXYS HiPerFET™ предназначены для применения в системаx с жесткой коммутацией и в резонансныx режимаx. Устройства отличаются низким уровнем заряда затвора, высокой прочностью благодаря быстродействующему встроенному диоду и более высокой способностью управлять током, что устраняет необxодимость в несколькиx компонентаx. Эти сильноточные МОП-транзисторы HiPerFET выпускаются в стандартныx промышленныx корпусаx, включая изолированные типы.

Технические параметры

Type:Polar HiPerFET Power MOSFET
Brand:IXYS
Fall Time:14 ns
Packaging:Tube
Rise Time:11 ns
Вес, г6
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Корпусto247
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Package/Case:TO-247-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:92 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:30
Особенности-
Pd - Power Dissipation:250 W
Typical Turn-On Delay Time:24 ns
Typical Turn-Off Delay Time:60 ns
Id - Continuous Drain Current:6 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:3 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5 V
Пороговое напряжение на затворе-30 V, +30 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт250
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2.75 Ohms

Техническая документация