IXFH60N65X2, Транзистор N-MOSFET, 650В, 60А, 780Вт, TO247-3, 180нс
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017544704
- Артикул
- IXFH60N65X2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Width
- 5.21mm
- Series
- HiperFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 8
Цена по запросу
(от 1 770 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия мощныx МОП-транзисторов IXYS X2 класса HiPerFET значительно снижает сопротивление и заряд затвора по сравнению с предыдущими поколениями мощныx МОП-транзисторов, что приводит к снижению потерь и повышению эффективности работы.
Технические параметры
| Width | 5.21mm |
| Series | HiperFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 8 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Корпус | to247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | MOSFET |
| Forward Diode Voltage | 1.4V |
| Power Dissipation (Pd) | 780W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 780 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 108 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 107nC@10V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 6.18nF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 60A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 52 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 60 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 5.5V@4mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 780 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 52mΩ@10V, 30A |