IXFH60N50P3, MOSFETs 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050720458
- Артикул
- IXFH60N50P3
- Бренд
- Ixys Corporation
- Width
- 5.3mm
- Series
- HiperFET, Polar3
- Pin Count
- 3
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 1 510 ₽)
Минимальный заказ: 30 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка N-канальныx МОП-транзисторов питания серии IXYS Polar3™ с быстродействующими встроенными диодами (HiPerFET™) Широкий ассортимент современныx дискретныx МОП-транзисторов питания от IXYSundefined
Технические параметры
| Width | 5.3mm |
| Series | HiperFET, Polar3 |
| Pin Count | 3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Вес, кг | 43.4 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | Power MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.04 kW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 96 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 100 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 60 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1040 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1Ом |