IXFH52N50P2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 52А, 960Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038437493
- Артикул
- IXFH52N50P2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO247-3
- Mounting
- THT
- Вес, г
- 6.19
- Gate charge
- 113nC
Цена по запросу
(от 930 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 52А, 960Вт, TO247-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Mounting | THT |
| Вес, г | 6.19 |
| Gate charge | 113nC |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | to247 |
| Drain current | 52A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 960W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| On-state resistance | 0.12Ω |
| Drain-source voltage | 500V |
| Power Dissipation (Pd) | 960W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 113nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 6.8nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 52A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.5V@4mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 52 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 960 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 120mΩ@26A, 10V |