IXFH52N30P, MOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Rds
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005506793
- Артикул
- IXFH52N30P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO247-3
- Type:
- Polar Power MOSFETs HiPerFET
- Brand:
- IXYS
- Series:
- IXFH52N30
Цена по запросу
(от 1 091,03 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Polar HiPerFET Мощные МОП-транзисторы IXYS Polar™ HiPerFETs сочетают в себе преимущества семейства Polar Standard с более быстродействующим корпусным диодом. Время обратного восстановления диодов faster body (t rr) сокращено, что делает иx пригодными для управления двигателями с фазосдвигающими мостами и в системаx бесперебойного питания (ИБП). Это семейство МОП-транзисторов обеспечивает самый низкий уровень RDS1 (при включении), низкий уровень RTHJC, низкую добротность и расширенные возможности dv/dt.
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Type: | Polar Power MOSFETs HiPerFET |
| Brand: | IXYS |
| Series: | IXFH52N30 |
| Mounting | THT |
| Fall Time: | 20 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 22 ns |
| Technology | HiPerFET™, Polar™ |
| Tradename: | HiPerFET |
| Вес, г | 6 |
| Gate charge | 110nC |
| No. of Pins | 3Pins |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 52A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Range | Polar HiperFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 400W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 110 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 73mΩ |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Drain-source voltage | 300V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Reverse recovery time | 160ns |
| Transistor Case Style | TO-247 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 400 W |
| Drain Source Voltage Vds | 300V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Continuous Drain Current Id | 52A |
| Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 52 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 20 S |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 5V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 73 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 300 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 300 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 52 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 400 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |