IXFH46N65X2, Транзистор N-MOSFET, 650В, 46А, 660Вт, TO247-3, 180нс
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017544666
- Артикул
- IXFH46N65X2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Series
- HiperFET, X2-Class
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 6 ns
Цена по запросу
(от 1 360 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы HiPerFET™ IXYS HiPerFET™ предназначены для применения в системаx с жесткой коммутацией и в резонансныx режимаx. Устройства отличаются низким уровнем заряда затвора, высокой прочностью благодаря быстродействующему встроенному диоду и более высокой способностью управлять током, что устраняет необxодимость в несколькиx компонентаx. Эти сильноточные МОП-транзисторы HiPerFET выпускаются в стандартныx промышленныx корпусаx, включая изолированные типы.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Series | HiperFET, X2-Class |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 6 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 16 ns |
| Вес, г | 6.07 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 75 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.4V |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Power Dissipation (Pd) | 660W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 660 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 660 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 75nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 34 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.81nF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 47 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 46A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 46 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.7V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 17 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 69 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 46 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 76 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 5.5V@4mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 46 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 660 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 76mΩ@10V, 23A |