IXFH44N50P, Транзистор N-MOSFET, Polar™, полевой, 500В, 44А, 658Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017543797
- Артикул
- IXFH44N50P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO247-3
- Width
- 5.3mm
- Series
- HiperFET, Polar
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 864,07 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, Polar™, полевой, 500В, 44А, 658Вт, TO247-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Width | 5.3mm |
| Series | HiperFET, Polar |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Technology | HiPerFET™, Polar™ |
| Вес, г | 6 |
| Gate charge | 98nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | IXYS |
| Package Type | TO-247AD |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | to247 |
| Drain current | 44A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 658W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 0.14Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 500V |
| Reverse recovery time | 200ns |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 650 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 140 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 44 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@4mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 44 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 658 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |