Моя заявка (0)

IXFH42N60P3, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 42 A, 0.185 ohm, TO-247, Through Hole

IXFH42N60P3, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 42 A, 0.185 ohm, TO-247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8970112041
Артикул
IXFH42N60P3
Бренд
Ixys Corporation
Вес, г
12.81
Серия
IXFH42N60
Упаковка
Tube
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 2 740 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 42А, 830Вт, TO247-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Вес, г12.81
СерияIXFH42N60
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада17 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-247-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора78 nC
Время нарастания23 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности830 W
Id - непрерывный ток утечки42 A
Коммерческое обозначениеHiPerFET
Крутизна характеристики, S42 S, 25 S
Размер фабричной упаковки30
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток185 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Пороговое напряжение на затворе3…5
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А42
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.42 S, 25 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.185 Ом

Техническая документация