IXFH34N65X2, Транзистор N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 34А, 540Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017543796
- Артикул
- IXFH34N65X2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO247-3
- Width
- 21.45mm
- Brand:
- IXYS
- Series
- HiperFET, X2-Class
Цена по запросу
(от 614,48 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия мощныx МОП-транзисторов IXYS X2 класса HiPerFET значительно снижает сопротивление и заряд затвора по сравнению с предыдущими поколениями мощныx МОП-транзисторов, что приводит к снижению потерь и повышению эффективности работы.
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Width | 21.45mm |
| Brand: | IXYS |
| Series | HiperFET, X2-Class |
| Series: | 650V Ultra Junction X2 |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 16 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 45 ns |
| Technology | HiPerFET™, X2-Class |
| Tradename: | HiPerFET |
| Вес, г | 1.6 |
| Gate charge | 56nC |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 34A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhancement |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Power dissipation | 540W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 56 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 0.1Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 650V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.4V |
| Reverse recovery time | 164ns |
| Power Dissipation (Pd) | 540W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 540 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 540 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 56nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 46 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3.33nF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 47 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 34A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 34 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.7V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 14 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 100 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 34 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 105 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Пороговое напряжение на затворе | 5.5V@2.5mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 34 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 540 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 105mΩ@10V, 17A |