IXFH34N50P3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 34А, 695Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048065314
- Артикул
- IXFH34N50P3
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO247-3
- Width
- 5.3mm
- Series
- HiperFET, Polar3
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 1 580 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка N-канальныx МОП-транзисторов питания серии IXYS Polar3™ с быстродействующими встроенными диодами (HiPerFET™) Широкий ассортимент современныx дискретныx МОП-транзисторов питания от IXYSundefined
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Width | 5.3mm |
| Series | HiperFET, Polar3 |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 6.09 |
| Gate charge | 60nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | IXYS |
| Package Type | TO-247 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 34A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 695W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| On-state resistance | 0.18Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 500V |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 695 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 175 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 34 A |