Моя заявка (0)

IXFH320N10T2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 320А, 1000Вт, TO247-3, 98нс

IXFH320N10T2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 320А, 1000Вт, TO247-3, 98нс

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009374244
Артикул
IXFH320N10T2
Бренд
Littelfuse
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
8.13
Цена по запросу
(от 2 790 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 100 В 320 А (Tc) 1000 Вт (Tc) Со сквозным отверстием TO-247AD (IXFH)

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г8.13
Корпусto247
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 100A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)1000W(Tc)
Supplier Device PackageTO-247AD(IXFH)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs430 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds26000 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C320A(Tc)
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А320
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1000
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация