IXFH30N50P, Power MOSFET, PolarFET, N Channel, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8547055399
- Артикул
- IXFH30N50P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO247-3
- Mounting
- THT
- Technology
- HiPerFET™, PolarHV™
- Вес, г
- 6.23
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IXFH30N50P - это N-канальный МОП-транзистор PolarHV™ с усилением мощности на 500 В, оснащенный быстродействующим внутренним диодом (HiPerFET™) и пониженным RDS (вкл.). Самый популярный силовой МОП-транзистор IXYS (HiPerFET™) предназначен как для работы в режиме жесткой коммутации, так и в резонансном режиме. Этот МОП-транзистор обеспечивает низкий уровень заряда затвора и превосxодную надежность благодаря быстродействующему встроенному диоду. • Индуктивная коммутация без зажима (UIS) рассчитана на • Низкая индуктивность обеспечивает простоту управления и защиты • Простота монтажа • Компактность устройства • Высокая удельная мощность
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Mounting | THT |
| Technology | HiPerFET™, PolarHV™ |
| Вес, г | 6.23 |
| Gate charge | 70nC |
| No. of Pins | 3Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 30A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power Dissipation | 460W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 0.2Ω |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Drain-source voltage | 500V |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Reverse recovery time | 200ns |
| Transistor Case Style | TO-247 |
| Drain Source Voltage Vds | 500V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Drain Current Id | 30A |
| Drain Source On State Resistance | 0.2ohm |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 5V |