HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 26 A, 600 V, 3-Pin TO-247 IXFH26N60P
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8468704476
- Артикул
- IXFH26N60P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Width
- 5.3mm
- Series
- HiperFET, Polar
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 3 050 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы серии IXYS HiperFET™ Polar™: N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстродействующим внутренним диодом (HiPerFET™) от IXYS
Технические параметры
| Width | 5.3mm |
| Series | HiperFET, Polar |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 460 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 270 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 26 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 26 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -30 V, +30 V |