IXFH26N50P, Транзистор N-МОП, полевой, 500В 26A 400Вт 0,23Ом TO247AD
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048279986
- Артикул
- IXFH26N50P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Width
- 5.3mm
- Series
- HiperFET, Polar
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 10
Цена по запросу
(от 1 210 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстродействующим встроенным диодом (HiPerFET™) от IXYS - широкий ассортимент современныx дискретныx силовыx МОП-транзисторов от IXYSundefined
Технические параметры
| Width | 5.3mm |
| Series | HiperFET, Polar |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 10 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Корпус | to247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Range | PolarHV HiPerFET |
| Структура | N-МОП |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Transistor Case Style | TO-247 |
| Особенности | - |
| Drain Source Voltage Vds | 500V |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 400 W |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Continuous Drain Current Id | 26A |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 230 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 26 A |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 5.5V |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 26 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 400 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0, 23Ом |