IXFH18N100Q3, Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8535022902
- Артикул
- IXFH18N100Q3
- Бренд
- Ixys Corporation
- Вес, г
- 6
- Серия
- IXFH18N100
- Упаковка
- Tube
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 5 710 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 18А, 830Вт, TO247-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 6 |
| Серия | IXFH18N100 |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 13 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 90 nC |
| Время нарастания | 33 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 830 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
| Коммерческое обозначение | HyperFET |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 660 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 37 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1000 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 16 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 830 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.66 Ом |