IXFH170N10P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 100В, 170А, 715Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061918604
- Артикул
- IXFH170N10P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand
- IXYS
- Width
- 5.3mm
- Series
- HiperFET, Polar
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 1 680,70 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстродействующим встроенным диодом (HiPerFET™) от IXYS - широкий ассортимент современныx дискретныx силовыx МОП-транзисторов от IXYSundefined
Технические параметры
| Brand | IXYS |
| Width | 5.3mm |
| Series | HiperFET, Polar |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 6.23 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 714 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 198 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 9 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 170 A |