IXFH15N100Q3, Транзистор: N-MOSFET, Q3-Class, полевой, 1кВ, 15А, 690Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062246691
- Артикул
- IXFH15N100Q3
- Бренд
- Ixys Corporation
- RoHS
- Details
- Brand
- IXYS
- Width
- 5.3mm
- Series
- IXFH15N100
Цена по запросу
(от 2 247,06 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы HiperFET™ класса IXYS Q3 подxодят как для работы в режиме жесткой коммутации, так и в резонансном режиме и обеспечивают низкий уровень заряда затвора при исключительной прочности.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | IXYS |
| Width | 5.3mm |
| Series | IXFH15N100 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 250 ns |
| Tradename | HyperFET |
| Technology | Si |
| Вес, г | 6.12 |
| Unit Weight | 0.056438 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | IXYS |
| Package Type | TO-247 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 64 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 30 |
| Pd - Power Dissipation | 690 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 690 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
| Id - Continuous Drain Current | 15 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 6.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.05 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 15 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.05 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1000 V |