Моя заявка (0)

IXFH15N100Q3, Транзистор: N-MOSFET, Q3-Class, полевой, 1кВ, 15А, 690Вт, TO247-3

IXFH15N100Q3, Транзистор: N-MOSFET, Q3-Class, полевой, 1кВ, 15А, 690Вт, TO247-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8034814118
Артикул
IXFH15N100Q3
Бренд
Ixys Corporation
RoHS
Details
Brand
IXYS
Width
5.3mm
Series
IXFH15N100
Цена по запросу
(от 4 420 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы HiperFET™ класса IXYS Q3 подxодят как для работы в режиме жесткой коммутации, так и в резонансном режиме и обеспечивают низкий уровень заряда затвора при исключительной прочности.

Технические параметры

RoHSDetails
BrandIXYS
Width5.3mm
SeriesIXFH15N100
PackagingTube
Pin Count3
Rise Time250 ns
TradenameHyperFET
TechnologySi
Вес, г6.12
Unit Weight0.056438 oz
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerIXYS
Package TypeTO-247
Корпусto247
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge64 nC
Number of Channels1 Channel
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN-Channel
Factory Pack Quantity30
Pd - Power Dissipation690 W
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation690 W
Typical Gate Charge @ Vgs64 nC @ 10 V
Vgs - Gate-Source Voltage30 V
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage1000 V
Id - Continuous Drain Current15 A
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage6.5V
Maximum Drain Source Resistance1.05 Ω
Maximum Continuous Drain Current15 A
Rds On - Drain-Source Resistance1.05 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage1000 V
Пороговое напряжение на затворе5V@4mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В690
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт690
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация