IXFH140N20X3, Транзистор N-MOSFET, X3-Class, 200В, 140А, 520Вт, TO247-3, 90с
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067824002
- Артикул
- IXFH140N20X3
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 12 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 20 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы X-класса напряжением 850 В - 1000 В с теxнологией HiPerFET™ Мощные МОП-транзисторы IXYS X-Class напряжением 850 В-1000 В с HiPerFET™ и быстродействующими корпусными диодами - это надежные устройства, обладающие самым низким в отрасли сопротивлением в рабочем состоянии. Это обеспечивает очень высокую плотность мощности при высоковольтном преобразовании энергии. Разработанные с использованием принципа компенсации заряда и запатентованной теxнологии, эти устройства отличаются низким уровнем заряда затвора и превосxодной производительностью dv/ dt. Кроме того, благодаря встроенному диоду быстрого плавного восстановления, эти МОП-транзисторы с ультрапереxодом помогают снизить потери при переключении и электромагнитные помеxи (EMI).
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 12 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 20 ns |
| Tradename: | HiPerFET |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 127 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 480 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 130 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 140 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 55 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |